| 序号 | 更正项 | 更正前内容 | 更正后内容 |
| 1 | 获取招标文件时间 | 1.时间：(略) | 1.时间：(略) |
| 2 | 提交（上传）投标文件截止时间、开标时间 | (略)年7月8日9：(略) | (略)年7月(略)日9：(略) |
| 3 | 履约保证金 | 国产设备：(略) | 国产设备：(略) |
| 4 | 序号1“电感耦合等离子体质谱仪”技术参数更正 | ▲3.1.4.1全基体进样系统可实现样品气体稀释，稀释倍数最大(略)倍，可直接分析固体含量超过3%的样品，最大可达(略)%以上的样品； | 3.1.4.1全基体进样系统可实现样品气体稀释，可直接分析固体含量超过3%的样品，最大可达(略)%以上的样品； |
| 5 | 序号1“电感耦合等离子体质谱仪”技术参数更正 | ▲3.1.6高频率自激式全固态射频发生器，要求频率(略) MHz以上，功率功率范围(略)-(略)W，连续可调； | 3.1.6高频率自激式全固态射频发生器，要求频率(略).(略)MHz以上，功率功率范围(略)-(略)W，连续可调； |
| 6 | 序号1“电感耦合等离子体质谱仪”技术参数更正 | 3.1.(略).1为实现对离子射束紧凑控制，接口至少采用三级锥设计，应至少包括一个采样锥和两个截取锥或一个采样锥、一个截取锥和一个超级锥； | 3.1.(略).1为实现对离子射束紧凑控制，接口至少采用二级锥设计，应至少包括一个采样锥和一个截取锥或一个采样锥、一个截取锥和一个超级锥； |
| 7 | 序号1“电感耦合等离子体质谱仪”技术参数更正 | ▲3.1.(略).2锥接口设计要求具高灵敏度、高复杂基体耐受和低干扰水平的大锥口设计。采样锥口径要求必须≥1.0mm，截取锥要求必须≥0.9mm，从而保证长期分析高基体、高盐样品的稳定性，满足高通量分析及大进样量的要求。锥口在满足高灵敏、高复杂基体耐受和低干扰水平上需要使用不同的设计时，需增配耐高基体进样系统及(略)套以上的耐基体、高灵敏度嵌片； | ▲3.1.(略).2锥接口设计要求具高灵敏度、高复杂基体耐受和低干扰水平的大锥口设计。采样锥口径要求必须≥1.0mm，截取锥要求必须≥0.4mm，从而保证长期分析高基体、高盐样品的稳定性，满足高通量分析及大进样量的要求。锥口在满足高灵敏、高复杂基体耐受和低干扰水平上需要使用不同的设计时，需增配耐高基体进样系统及(略)套以上的耐基体、高灵敏度嵌片； |
| 8 | 序号1“电感耦合等离子体质谱仪”技术参数更正 | 3.1.(略).2正交(略)度待测离子偏转提取设计，彻底分离中性物质和光子，避免分析腔内样品沉积，无需对离子提取与基体分离系统、碰撞反应池、质量分析器的清洗和维护； | 3.1.(略).2正交(略)度待测离子偏转提取设计，非离轴式，彻底分离中性物质和光子，避免分析腔内样品沉积，终身无需对离子提取与基体分离系统、碰撞反应池、质量分析器的清洗和维护；（提供(略)度待测离子偏转提取设计图证明） |
| 9 | 序号1“电感耦合等离子体质谱仪”技术参数更正 | 3.1.(略).1碰撞反应池系统应为四极杆组成 | 3.1.(略).1碰撞反应池系统须为四极杆组成的碰撞反应池；（提供四极杆碰撞反应池设计图证明） |
| (略) | 序号1“电感耦合等离子体质谱仪”技术参数更正 | ▲3.1.(略).5碰撞反应池可长期使用(略).(略)% 氨气；具有最强的去干扰能力； | ▲3.1.(略).5碰撞反应池可长期使用(略).(略)% 氨气；具有最强的去干扰能力；（验证方式：(略) |
| (略) | 序号2“电感耦合等离子体质谱仪”技术参数更正 | 1.1 ICP-MS要求为化学高分辨多重四极杆型（至少四组四极杆）或高分辨磁质谱型或高分辨飞行时间型，而非普通双四极杆+四平板”或“双重四极杆+单八极杆”或单四极结构。由电感耦合等离子体离子源、四极杆离子偏转器、第一个四极杆质量分析器、四极杆碰撞反应池、第二个四极杆质量分析器、离子检测系统等部分构成； | 1.1 ICP-MS要求为化学高分辨多重四极杆型或高分辨磁质谱型或高分辨飞行时间型，而非单四极杆结构。由电感耦合等离子体离子源、四极杆离子偏转器、第一个四极杆质量分析器、四极杆碰撞反应池、第二个四极杆质量分析器、离子检测系统等部分构成； |
| (略) | 序号2“电感耦合等离子体质谱仪”技术参数更正 | ▲3.1.4.1全基体进样系统可实现样品气体稀释，稀释倍数最大(略)倍，可直接分析固体含量超过3%的样品，最大可达(略)%以上的样品； | 3.1.4.1全基体进样系统可实现样品气体稀释，可直接分析固体含量超过3%的样品，最大可达(略)%以上的样品 |
| (略) | 序号2“电感耦合等离子体质谱仪”技术参数更正 | ▲3.1.6高频率自激式全固态射频发生器，要求频率(略)MHz以上，功率功率范围(略)-(略)W，连续可调 | 3.1.6高频率自激式全固态射频发生器，要求频率(略).(略)MHz以上，功率功率范围(略)-(略)W，连续可调 |
| (略) | 序号2“电感耦合等离子体质谱仪”技术参数更正 | 3.1.(略).1为实现对离子射束紧凑控制，接口至少采用三级锥设计，应至少包括一个采样锥和两个截取锥或一个采样锥、一个截取锥和一个超级锥； | 3.1.(略).1为实现对离子射束紧凑控制，接口至少采用二级锥设计，应至少包括一个采样锥和一个截取锥或一个采样锥、一个截取锥和一个超级锥 |
| (略) | 序号2“电感耦合等离子体质谱仪”技术参数更正 | ▲3.1.(略).2锥接口设计要求具高灵敏度、高复杂基体耐受和低干扰水平的大锥口设计。采样锥口径要求必须≥1.0mm，截取锥要求必须≥0.9mm，从而保证长期分析高基体、高盐样品的稳定性，满足高通量分析及大进样量的要求。锥口在满足高灵敏、高复杂基体耐受和低干扰水平上需要使用不同的设计时，需增配耐高基体进样系统或(略)套以上的耐基体、高灵敏度嵌片； | ▲3.1.(略).2锥接口设计要求具高灵敏度、高复杂基体耐受和低干扰水平的大锥口设计。采样锥口径要求必须≥1.0mm，截取锥要求必须≥0.4mm，从而保证长期分析高基体、高盐样品的稳定性，满足高通量分析及大进样量的要求。锥口在满足高灵敏、高复杂基体耐受和低干扰水平上需要使用不同的设计时，需增配耐高基体进样系统及(略)套以上的耐基体、高灵敏度嵌片； |
| (略) | 序号2“电感耦合等离子体质谱仪”技术参数更正 | 3.1.(略).2正交(略)度待测离子偏转提取设计，彻底分离中性物质和光子，避免分析腔内样品沉积，无需对离子提取与基体分离系统、碰撞反应池、质量分析器的清洗和维护 | 3.1.(略).2正交(略)度待测离子偏转提取设计，非离轴式，彻底分离中性物质和光子，避免分析腔内样品沉积，终身无需对离子提取与基体分离系统、碰撞反应池、质量分析器的清洗和维护；（提供(略)度待测离子偏转提取设计图证明） |
| (略) | 序号2“电感耦合等离子体质谱仪”技术参数更正 | 3.1.(略).1碰撞反应池系统应为四极杆组成 | 3.1.(略).1碰撞反应池系统须为四极杆组成的碰撞反应池；（提供四极杆碰撞反应池设计图证明） |
| (略) | 序号2“电感耦合等离子体质谱仪”技术参数更正 | ▲3.1.(略).5碰撞反应池可长期使用(略).(略)% 氨气；具有最强的去干扰能力； | ▲3.1.(略).5碰撞反应池可长期使用(略).(略)% 氨气；具有最强的去干扰能力；（验证方式：(略) |
| (略) | 序号3“原子吸收光谱仪”技术参数更正 | ▲3.3狭缝：(略) | 3.3狭缝：(略) |
| (略) | 序号3“原子吸收光谱仪”技术参数更正 | ▲3.5 灯座：(略) | 3.5 灯座：(略) |
| (略) | 备份投标文件邮寄地址 | 备份投标文件：(略) | 备份投标文件：(略) |