SOI晶圆（XF-WSBX-2500467）采购公告
| 所在地区： | 浙江-杭州- | 发布日期： | 2025年10月9日 |
招标采购正文
| 项目名称 | SOI晶圆 | 项目编号 | XF-WSBX-2500467 |
|---|---|---|---|
| 公示开始日期 | 2025-10-09 11:31:43 | 公示截止日期 | 2025-10-16 13:00:00 |
| 采购单位 | 浙江大学 | 付款方式 | 货到付款，甲方在到货验收后15日内向乙方一次性支付本项目的总额 |
| 联系人 | 中标后在我参与的项目中查看 | 联系电话 | 中标后在我参与的项目中查看 |
| 签约时间要求 | 成交后3个工作日内 | 到货时间要求 | 签约后3个工作日内 |
| 预算 | ￥406,800 | ||
| 供应商资质要求 | 符合《政府采购法》第二十二条规定的供应商基本条件 | ||
| 收货地址 | 杭州国际科创中心水博园_校区A11楼FAB房间 |
采购清单1
| 采购物品 | 是否允许进口 | 采购数量 | 计量单位 | 所属分类 |
|---|---|---|---|---|
| SOI晶圆 | 否 | 25 | 张 | 合成材料 |
| 品牌 | |
|---|---|
| 规格型号 | |
| 预算 | \t\t￥8,136\t | \t
| 技术参数 | 技术规格Product Technical Specification:1.1\t规格见附页（COA规格）Specifications（COA content）：No.\tItems\tUnit\tSpecifications1. Top Silicon layer\t \t 1.1\tMetrology Edge Exclusion(EE)\tmm\t31.2\tTop Silicon layer Thickness\tnm\t220+/-3.51.3\tTop Silicon layer Conductivity Type\t \tP type1.4\tTop Silicon layer Dopant\t \tBoron1.5\tTop Silicon layer Resistivity\tohm-cm\t10-151.6\tTop Silicon layer Crystal Orientation\tdegree\t(100) +/-0.5°1.7\tTop Silicon layer Crystal Growth Method\t \tMCZ cop free1.8\tlocalized light scatters defects (LLS)\t \t \t>=0.09 um\tea/wafer\t<=200\t>=0.25 um\tea/wafer\t<=501.9\tSurface defects(Edge chips, scratch, slip, stain)\tea/wafer\t<=01.10\tVoids>=0.5mm\tea/wafer\t<=01.11\tSurface metal: Al, Ca, K,\tatom/cm2\t<=3E101.12\tSurface metal: Fe, Cr, Cu, Ni, Zn, Na\tatom/cm2\t<=1E101.13\tSurface roughness\t？\t<=42. Buried oxide layer\t 2.1\tBOX Thickness\tnm\t2000+/-203. Handle wafer3.1\tHandle wafer Thickness\tum\t775+/-153.2\tHandle wafer Conductivity Type\t \tP type3.3\tHandle wafer Dopant\t \tBoron3.4\tHandle wafer Resistivity\tohm-cm\t>=83.5\tHandle wafer Crystal Orientation\tdegree\t(100) +/-0.5°3.6\tHandle wafer Notch Orientation\tdegree\t<110> +/-0.5°3.7\tHandle wafer Crystal Growth Method\t \tMCZ3.8\twafer ID marking\t \tBackside T7+OCR3.9\tBackside surface\t \tOxidized3.10\tDiameter\tmm\t300.0+/-0.23.11\tTotal Thickness Variation (GBIR)\tum\t<=103.12\tWarp\tum\t<=604. Shipping Box4.1\tShipping Box\t \tSEP, MW300GT; 25pcs boxBack up: Miraial KT3004A-4, ePAK eFOSB 300 |
| 售后服务 | 电话支持:7x8小时;质保期:1年;服务时限:报修后4小时;商品承诺:原厂全新未拆封正品;发放专项项目预算不控制，没有材料费选项，可以报销耗材支出。; |
采购清单2
| 采购物品 | 是否允许进口 | 采购数量 | 计量单位 | 所属分类 |
|---|---|---|---|---|
| SOI晶圆 | 否 | 50 | 张 | 合成材料 |
| 品牌 | |
|---|---|
| 规格型号 | |
| 预算 | \t\t￥4,068\t | \t
| 技术参数 | 3BNQS2T000 Top 220nm，Box 2μm\\降级技术规格Product Technical Specification:1.1\t规格见附页（COA规格）Specifications（COA content）：No.\tItems\tUnit\tSpecifications1. Top Silicon layer\t \t 1.1\tMetrology Edge Exclusion(EE)\tmm\t31.2\tTop Silicon layer Thickness\tnm\t220+/-3.51.3\tTop Silicon layer Conductivity Type\t \tP type1.4\tTop Silicon layer Dopant\t \tBoron1.5\tTop Silicon layer Resistivity\tohm-cm\t10-151.6\tTop Silicon layer Crystal Orientation\tdegree\t(100) +/-0.5°1.7\tTop Silicon layer Crystal Growth Method\t \tMCZ cop free1.8\tlocalized light scatters defects (LLS)\t \t \t>=0.09 um\tea/wafer\t<=200\t>=0.25 um\tea/wafer\t<=501.9\tSurface defects(Edge chips, scratch, slip, stain)\tea/wafer\t<=01.10\tVoids>=0.5mm\tea/wafer\t<=01.11\tSurface metal: Al, Ca, K,\tatom/cm2\t<=3E101.12\tSurface metal: Fe, Cr, Cu, Ni, Zn, Na\tatom/cm2\t<=1E101.13\tSurface roughness\t？\t<=42. Buried oxide layer\t 2.1\tBOX Thickness\tnm\t2000+/-203. Handle wafer3.1\tHandle wafer Thickness\tum\t775+/-153.2\tHandle wafer Conductivity Type\t \tP type3.3\tHandle wafer Dopant\t \tBoron3.4\tHandle wafer Resistivity\tohm-cm\t>=83.5\tHandle wafer Crystal Orientation\tdegree\t(100) +/-0.5°3.6\tHandle wafer Notch Orientation\tdegree\t<110> +/-0.5°3.7\tHandle wafer Crystal Growth Method\t \tMCZ3.8\twafer ID marking\t \tBackside T7+OCR3.9\tBackside surface\t \tOxidized3.10\tDiameter\tmm\t300.0+/-0.23.11\tTotal Thickness Variation (GBIR)\tum\t<=103.12\tWarp\tum\t<=604. Shipping Box4.1\tShipping Box\t \tSEP, MW300GT; 25pcs boxBack up: Miraial KT3004A-4, ePAK eFOSB 300 |
| 售后服务 | 电话支持:7x8小时;质保期:1年;服务时限:报修后4小时;商品承诺:原厂全新未拆封正品;发放专项项目预算不控制，没有材料费选项，可以报销耗材支出。; |
浙江大学
2025-10-09 11:31:43
按照客观、公正、公开的原则，本条信息受业主方委托独家指定在中国建设招标网 www.jszhaobiao.com 发布
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