氮化硅LPCVD流片（XF-WSBX-2500183）采购公告
| 所在地区： | 浙江-- | 发布日期： | 2025年5月23日 |
招标采购正文
| 项目名称 | 氮化硅LPCVD流片 | 项目编号 | XF-WSBX-2500183 |
|---|---|---|---|
| 公示开始日期 | 2025-05-23 15:58:58 | 公示截止日期 | 2025-05-30 17:00:00 |
| 采购单位 | 浙江大学 | 付款方式 | 货到付款，甲方在到货验收后15日内向乙方一次性支付本项目的总额 |
| 联系人 | 中标后在我参与的项目中查看 | 联系电话 | 中标后在我参与的项目中查看 |
| 签约时间要求 | 成交后3个工作日内 | 到货时间要求 | |
| 预算 | ￥360,000 | ||
| 供应商资质要求 | 符合《政府采购法》第二十二条规定的供应商基本条件
| ||
| 收货地址 |
采购清单1
| 采购物品 | 是否允许进口 | 采购数量 | 计量单位 | 所属分类 |
|---|---|---|---|---|
| 氮化硅LPCVD流片 | 否 | 6 | 张 | 电子、通信与自动控制技术研究服务 |
| 品牌 | |
|---|---|
| 规格型号 | |
| 预算 | \t\t ￥60,000\t | \t
| 技术参数 | 1.\tLPCVD Si3N4厚度400 nm，退火后最小CD：200 nm，最小gap：250 nm。CD线宽控制：200±20 nm；Si3N4侧壁角度：＞86°。2.\t在400 nm Si3N4上进行刻蚀，刻蚀深度200 nm，套刻精度：70 nm。Slab 厚度：200±15 nm，Si3N4厚度：400±20 nm3.\tSi3N4上进行SiO2填充，≥250 nm的gap需要保证SiO2填充完整。4.\tTiN方块电阻中心和边缘的均值：13.5ohm/sq。最小CD：2μm 。5.\tSi3N4单模波导（1μm宽度）传输损耗：≈0.2dB/cm(@1550nm) ≈0.2dB/cm(@1310nm)。6.\t端面耦合（c波段，MFD_2p5μm）：TE：loss＜2dB/facet，TM：loss＜2.1dB/facet。7.\t1*2MMI（c波段）：损耗≈0.2dB ，不平衡度＜0.1dB。8.\tcrossing（c波段）：损耗≈0.2dB。 |
| 售后服务 | 电话支持: 5x8小时;服务时限:报修后48小时;商品承诺:原厂全新未拆封正品; |
浙江大学
2025-05-23 15:58:58
按照客观、公正、公开的原则，本条信息受业主方委托独家指定在中国建设招标网 www.jszhaobiao.com 发布
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