序号

项目名称

建设地点

建设单位

建设项目概况

公众参与情况

相关环保措施承诺

主要环境影响及预防或者减轻不良环境影响的对策和措施

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富政工出[2023]9号浙江芯科半导体有限公司建设2英寸碳化硅MOSFET功率芯片生产线项目

杭州市富阳区富春湾新城（东至规划震龙庙路，南至其他产业用地，西至规划四季坞路，北至规划元书街）

浙江芯科半导体有限公司

浙江芯科半导体有限公司总投资100000万元，新征建设用地38.81亩，新增研发、测试及制造厂房等地上建筑面积65715.57m²，项目为计算机、通信和其他电子设备研发制造外延制备实验室和工艺共性平台，项目建成后达到年产10万片2英寸碳化硅MOSFET功率芯片的生产规模。

无公众参与

业主承诺按照环评要求落实好各项污染防治措施。

1、废气:项目外延废气经尾气处理器处理后接入两级碱洗处理后经25m排气筒排放；刻蚀、离子注入、高温氧化、沉积废气经尾气处理器处理后接入两级碱洗处理后经25m排气筒排放；酸洗、碱洗、腐蚀、石英件清洗尾气直接接入两级碱洗处理后经25m排气筒排放；光刻、去胶清洗尾气经水喷淋+活性炭吸附处理后经25m排气筒排放。经预测，项目废气对周围大气环境影响较小。

2、废水:项目含氟废水、碱喷淋废水收集后经一级加碱反应、混凝絮凝沉淀后二级除氟剂+碱反应、絮凝沉淀后汇入汇入酸碱废水pH调节池后续处理，最终纳管排放；有机清洗水洗废水收集后经中和、水解酸化、缺氧、好氧、沉淀后汇入酸碱废水pH调节池后续处理，最终纳管排放；减薄废水收集后经混凝、絮凝沉淀后汇入酸碱废水pH调节池后续处理，最终纳管排放；含氟废水、有机废水、减薄废水和碱喷淋系统废水经预处理后和Scrubber废水、酸碱废水汇合调节pH后纳管排放；浓水部分回用于喷淋塔补水，部分直接纳管排放；冷却塔排污水直接纳管排放生活污水经化粪池处理后直接纳管排放；项目废水经处理后达到杭州富阳水务有限公司大源污水处理厂纳管标准后纳入市政污水管网，最终由杭州富阳水务有限公司大源污水处理厂进行处理，经污水处理厂集中处理达标后排放。项目对周围水环境影响较小。

3、项目采取隔声降噪措施后，厂界四周噪声贡献值满足《工业企业厂界环境噪声排放标准》（GB12348-2008）中的3类标准要求，对周围声环境影响较小。

4、项目实施后危险废物按照类别分置于防渗漏的专用包装物或者密闭的容器内，存放在危废仓库指定区域内，定期委托危废处置单位外拉处置。一般固废可由回收公司收购后综合利用。项目固废均可妥善处置，对周围环境影响较小。